超高频38.5GHz半导体碰撞锁模皮秒光脉冲的产生  

作　　者：孙洪波[1] 胡礼中[1] 李玉东[1] 刘式墉[1] 

机构地区：[1]吉林大学实验区集成光电子国家重点联合实验室,长春130023

出　　处：《科学通报》1996年第3期288-288,共1页Chinese Science Bulletin

摘　　要：半导体超短光脉冲在长波长时分复用光纤通讯,超快数据处理,电光采样系统具有广泛应.常用的半导体短光脉冲产生方式有:增益开关技术、Q开关技术、锁模技术等.无论从理论上还是实践上,重复频率最高,宽度最窄的脉冲都是由锁模技术得到的.通过使用集成技术可以克服扩展腔结构中常见的机械稳定性不好,光路不易调整.而且存在复腔效应等缺点.在碰撞锁模激光器中,由于碰撞锁模效应和可饱和吸收体的吸收作用,脉冲前沿被吸收,后沿被光腔中的瞬间光栅散射,脉冲宽度得到大幅度削减.我们利用集成技术制备了1.5μm波长InGaAsP 碰撞脉冲锁模量子阱(CPM-QW)激光器(LD),测量得到脉宽5.1ps.

关 键 词：半导体 超短光脉冲 锁模 碰撞锁模效应 

分 类 号：TN301[电子电信—物理电子学]