对撞锁模半导体超短光脉冲的产生  

作　　者：孙洪波[1] 胡礼中[1] 李玉东[1] 苏士昌[1] 刘式墉[1] 

机构地区：[1]集成光电子国家重点联合实验室,吉林大学实验区,长春130023

出　　处：《科学通报》1996年第19期1811-1814,共4页Chinese Science Bulletin

摘　　要：锁模（mode-locking）技术是1964年发展起来的。利用这种技术,尤其是对撞锁模CPM（colliding-pulse mode-locking）可以产生皮秒(10-12s)甚至飞秒(10-15s)量级的超短脉冲,这对于物理化学以及分子弛豫过程的超高速现象的研究具有决定性的意义。随着半导体技术在光纤通讯、电光采样、时钟信号等光电子学领域的飞速发展,迫切需要一种宽度窄、频率高的半导体激光脉冲光源。为此投入了大量的研究。常用的半导体超短光脉冲技术包括Q开关、增益开关、锁模技术等。无论在理论上还是实践上,脉宽最窄和重复频率最高的脉冲,都是由锁模技术得到的。1990年,Chen等人首次报道了利用微波调制的对撞锁模技术,在单片集成InGaAsP量子阱激光器上得到脉宽1.4ps,重复频率32.5GHz的超短脉冲。本文报道了利用对称三段式结构的InGaAsP量子阱激光器,在无调制情况下获得脉宽5.0ps,重复频率38.5GHz的超短光脉冲。

关 键 词：超短光脉冲 对撞锁模 半导体 锁模 激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]