胡朝晖

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发文主题：量子阱材料LP-MOCVDINPINGAASP光致发光更多>>
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InGaAsP及其量子阱结构的LP－MOCVD
《半导体光电》1994年第2期159-162,174,共5页胡朝晖 胡礼中 李玉东 
报道了用低压金属有机化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓＰ体材料及ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ）／ＩｎＧａＡｓＰ（１．６μｍ）量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了５５０℃和５８...
关键词：化学汽相定积 多量子阱 光致发光 INGAASP 
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