胡礼忠

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InGaAsP分别限制量子阱激光器
《光子学报》1996年第2期160-164,共5页陈松岩 李玉东 孙洪波 胡礼忠 刘式墉 
长波长ＩｎＧａＡｓＰ量子阱激光器，以其低阈值、窄光谱线宽和高的调制频带宽等优良特性而成为大容量通信的基础。为此，我们利用低压ＭＯＶＣＤ技术生长了１．６２μｍ和１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ材料，测得其７７Ｋ光荧光（ＰＬ）...
关键词：分别限制量子阶激光器 低压金属有机气相沉积 质子轰击 
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