AlxSn100—x合金系统的Ar^＋溅射研究  

Study of ion sputtering on Al_xSn_(100-x) alloy system

作　　者：王震遐[1,2] 章骥平[1,2] 潘冀生[1,2] 陶振兰[1,2] 朱福英[1,2] 张慧明[1,2] 曾跃武[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院上海原子核研究所 [2]杭州大学

出　　处：《核技术》1994年第7期396-402,共7页Nuclear Techniques

摘　　要：用捕获膜和卢瑟福背散射技术给出了３０ｋｅＶＡｒ＋轰击ＡｌｘＳｎ１００－ｘ合金系统（Ｘ＝９０，７０，５０，３０，１０）溅射Ｓｎ和Ａｌ原子的角分布及其择优溅射变化。提出一个考虑靶点表面形貌和元素局域富集对发射原子影响的模型，分析结果和实验数据符合较好．Angular distributions and preferential sputtering for Sn and Al atoms ejectedmom the AlxSn100-x.(x=90,70,50,30,10) alloy system bombarded by 30keV Ar+ ions lave been studied with the collector technique and the RBS analysis.To explain the experimental results, a model considering the influence of surface topography and ocalised element enrichment on the atomic ejection is proposed, and the explanation isquite satisfactory.

关 键 词：无素局域富集 溅射 合金 铝锡合金 

分 类 号：TG146.21[一般工业技术—材料科学与工程]