高温超导中多个正电子捕获位及其对正电子湮没参数的影响  

A trap-annihilation model for positron annihilation in high Tc superconducting materials

作　　者：吴奕初[1] 滕敏康[1] 金新[1] 夏元复[1] 

机构地区：[1]南京大学,中山大学物理系

出　　处：《核技术》1994年第12期714-717,共4页Nuclear Techniques

摘　　要：从正电子陷阱物理图象出发，引入正电子在陷阱中湮没的竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用此模型分析了高温超导材料中正电子在陷阱中湮没的特征。According to simple physical picture and competition mechedsm of positron trapping in defects,a new trap-annihilation model is presented.The characteristics of positron trapping in high To superconducting materials are discussed with this model.It may be useful for discussing non-equilibrium defects in materials.

关 键 词：正电子湮没 高温超导材料 陷阱湮没模型 

分 类 号：O511.2[理学—低温物理]