滕敏康

作品数：16被引量：8H指数：1
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发文主题：正电子湮没高TC超导体Y-BA-CU-OA-SI湮灭更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
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Fe_（73．5）Cu_1Nb_3Si_（13．5）B_9非晶合金化过程的X射线被引量：2
《核技术》1995年第1期24-27,共4页吴奕初 滕敏康 夏元复 常香荣 杨会生 田中卓 
采用Ｘ射线衍射和正电子湮没多普勒展宽测量相结合，研究了纳米晶态材料Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９的结构随退火温度的变化。实验结果表明：急冷非品样品在４８０℃开始明显晶化，基体中析出体心立方结构的α－Ｆｅ（Ｓ...
关键词：X射线衍射 非晶合金化 FeCuNbSiB 
高温超导中多个正电子捕获位及其对正电子湮没参数的影响
《核技术》1994年第12期714-717,共4页吴奕初 滕敏康 金新 夏元复 
从正电子陷阱物理图象出发，引入正电子在陷阱中湮没的竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用此模型分析了高温超导材料中正电子在陷阱中湮没的特征。
关键词：正电子湮没 高温超导材料 陷阱湮没模型 
应用正电子湮没技术定量估算高纯铁形变的位错密度和空位浓度
《核技术》1994年第10期597-600,共4页吴奕初 滕敏康 夏元复 常香荣 田中卓 肖纪美 
采用慢拉伸与多普勒展宽相结合．研究了单一试样以５×１０－５／ｓ的应变速率拉伸时，高纯铁形变作品５００Ｋ回复前后Ｓ参数随形变量的变化［Ｓ（ε）曲线］。实验结果表明．回复前的Ｓ（ε）曲线包含位错和空位的贡献．回复后仅食位...
关键词：高纯铁 位错 空位 变形 正电子湮灭 
铝合金中氢效应的正电子湮没研究
《南京大学学报（自然科学版）》1994年第3期439-443,共5页吴奕初 滕敏康 夏元复 
铝合金的氢脆和应力腐蚀开裂是受到广泛重视的课题．本文采用正电子湮没（ＰＡ）技术研究了ＬＣ４铝合金在慢拉伸动态充氢时，在３．５％ＮａＣｌ＋２００ｍｇ／１Ａｓ２Ｏ３介质中，多普勒展宽（Ｄｏｐｐｌｅｒｂｒｏａｄｅｎｉｎｇ）...
关键词：铝合金 氢 正电子湮没 
用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜中的界面缺陷被引量：3
《物理学报》1991年第12期1973-1979,共7页王志超 滕敏康 刘吟春 
本文报道应用正电子湮没技术(PAT)对a-Si:H/a-SiNx:H(x≈0.5)多层膜系列样品所进行的研究。发现,由于a-Si:H和a-SiNx:H在结构方面的失配,导致在a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面区,产生大量缺陷。在a-Si:H子层中,紧靠界面的是应变层,厚度...
关键词：正电子湮没 半导体 多层膜 缺陷 
应用正电子湮没技术研究衬底温度对a-Si∶H薄膜结构的影响
《南京大学学报（自然科学版）》1991年第2期243-250,共8页滕敏康 王志超 
应用正电子湮没技术,研究在PCVD过程中不同衬底温度对a-Si:H薄膜结构的影响,并应用微晶模型进行解释。
关键词：正电子湮没 PCVD A-SI-H 薄膜 
未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究
《南京大学学报（自然科学版）》1990年第1期39-42,共4页吴凤美 滕敏康 沈德熏 陈岭 
用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文还讨论了电子和中子辐照的影响。
关键词：砷化镓 正电子湮没 退火行为 辐照 
硅橡胶中的正电子湮没寿命谱实验分析
《南京大学学报（自然科学版）》1990年第1期43-47,共5页尹传元 沈德勋 滕敏康 周彩华 
本文用硅橡胶材料做正电子湮没的实验,实验的结果得到了硅橡胶中正电子湮没三种成份的寿命均随分子量增大而减小,以及生胶在高温硫化前后的正电子湮没三种成份寿命和相应的强度有显著变化。根据硅橡胶大分子的结构来分析影响正电子湮没...
关键词：硅橡胶 正电子湮没 寿命谱 强度 
正电子在高能电子辐照聚乙烯和聚丙烯中的湮没特性被引量：1
《核技术》1990年第1期14-18,共5页王广厚 滕敏康 沈德勋 周永义 陆用义 赖啓基 王厚稳 蒋永兴 
用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽方法研究高能电子(12MeV)辐照聚丙烯和聚乙烯的不同特性,发现在160kGy剂量内,正电子在聚丙烯内的短寿命成分随着电子辐照剂量的增大而变长,中间成分的强度则减弱,但当剂量为320kGy时,各湮没寿命与没有辐...
关键词：电子辐照 结构 聚乙烯 聚丙烯 辐照效应 正电子湮没寿命谱 多普勒 
Y-Ba-Cu-O高Tc超导体的核技术研究
《核技术》1989年第8期533-536,共4页刘荣川 滕敏康 王广厚 沈德勋 夏元复 
国家自然科学基金
本文报道用穆斯堡尔谱学和X射线衍射研究YBa_2(Cu_(1-x)Fe_x)_3O_7的结构和超导性质以及铁置换的影响;用正电子湮没技术研究Y-Ba-Cu-O高T_c超导体,发现T_c区域正电子湮没寿命谱性质异常;用质子和电子束分别对Y-Ba-Cu-O超导体的体材和不...
关键词：超导体 穆斯堡尔谱 正电子湮没 
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