王志超

作品数：9被引量：41H指数：2
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发文期刊：《电子学报》《南京大学学报（自然科学版）》《物理学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
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电子辐照下碳膜中氢原子行为的研究
《电子学报》1993年第8期74-76,共3页顾书林 何宇亮 王志超 
轻工业部科学基金;江苏省科学基金资助课题
本文通过共振核反应与红外吸收两种实验方法,对用PECVD法淀积的非晶碳膜中氢原子在不同剂量电子辐照下的行为,进行了深入的研究.不同剂量的电子辐照,使碳膜样品中的氢含量大小及氢原子的存在方式等有不同程度的变化.
关键词：电子辐照 碳膜 氢原子 
非晶碳膜电子辐照性质的研究
《Journal of Semiconductors》1993年第3期185-188,共4页顾书林 何宇亮 王志超 
轻工业部;江苏省科委科学基金
使用不同剂量的电子束(1.0×10^(13)—6.0×10^(14)Rad,13Mev)对用PECVD法淀积的a-C:H薄膜进行了电子辐照改性研究。广角X光衍射、红外吸收、喇曼散射和共振核反应对样品结构的实验结果表明:在此剂量强度范围内,辐照使非晶碳膜的结构和...
关键词：非晶碳膜 α-C:H 淀积 电子辐照 
纳米硅薄膜的研制被引量：37
《中国科学（A辑）》1992年第9期995-1001,共7页何宇亮 刘湘娜 王志超 程光煦 王路春 余是东 
国家自然科学基金
使用大量氢稀释硅烷,严格控制PECVD系统中的工艺参数,分别沉积出a-Si:H,nc-Si:H 以及μc-Si:H薄膜.使用HREM,Raman及X射线谱,探讨了nc-Si:H膜的结构特征.结果表明,它已符合国际上对于固体纳米材料的认识.由于结构上的新颖性,使它具有一...
关键词：纳米硅 非晶硅 微晶硅 薄膜 硅 
用PECVD法沉积α-C:H薄膜的研究
《固体电子学研究与进展》1992年第1期58-64,共7页顾书林 何宇亮 王志超 孙剑 程光熙 
轻工业部新技术开发及江苏省科委资助项目
本文报导了使用PECVD方法沉积的α-C:H溥膜的工艺条件、薄膜结构和物性之间的联系。指出,α-C:H膜中石墨和金刚石成分的比值密切相关于反应气氛CH_4/(CH_4+H_2)的比例以及沉积系统中的衬底温度和施加在平行板电极之间的直流偏压。最后,...
关键词：非晶碳膜 金刚石 沉积 PECVD法 
用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜中的界面缺陷被引量：3
《物理学报》1991年第12期1973-1979,共7页王志超 滕敏康 刘吟春 
本文报道应用正电子湮没技术(PAT)对a-Si:H/a-SiNx:H(x≈0.5)多层膜系列样品所进行的研究。发现,由于a-Si:H和a-SiNx:H在结构方面的失配,导致在a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面区,产生大量缺陷。在a-Si:H子层中,紧靠界面的是应变层,厚度...
关键词：正电子湮没 半导体 多层膜 缺陷 
应用正电子湮没技术研究衬底温度对a-Si∶H薄膜结构的影响
《南京大学学报（自然科学版）》1991年第2期243-250,共8页滕敏康 王志超 
应用正电子湮没技术,研究在PCVD过程中不同衬底温度对a-Si:H薄膜结构的影响,并应用微晶模型进行解释。
关键词：正电子湮没 PCVD A-SI-H 薄膜 
a-Si∶H/a-SiN_x∶H超晶格薄膜的光声谱被引量：1
《南京大学学报（自然科学版）》1990年第1期32-38,共7页邱树业 王志超 刘湘娜 冯小梅 
我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。
关键词：半导体 超晶格 薄膜 光声谱 
非晶半导体超晶格薄膜的光声谱研究
《汕头大学学报（自然科学版）》1989年第2期36-41,共6页邱树业 王志超 张淑仪 
本文对a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜进行了光声谱研究.在光声谱中可以观察到由于量子尺寸效应所引起的吸收边“兰移”现象.将超晶格系列样品的光声谱与它们的光吸收谱以及本征硅的光声谱作了比较,研究表明,在a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中光...
关键词：非晶半导体 超晶格薄膜 光声谱 
a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合
《物理学报》1988年第8期1291-1297,共7页王志超 滕敏康 张淑仪 葛网大 邱树业 
国家自然科学基金
应用红外光谱仪、分光光度计、光声谱仪和正电子湮没寿命谱仪,从不同的角度,研究a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的成分、缺陷以及光生载流子的非辐射复合。
关键词：非辐射复合 光生载流子 缺陷密度 a-SiN_x A-SI Si 
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