非晶碳膜电子辐照性质的研究  

Study on Characteristics of a-C:H Films Radiated by Electron Beam

作　　者：顾书林[1] 何宇亮[1] 王志超[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,南京210008

出　　处：《Journal of Semiconductors》1993年第3期185-188,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：轻工业部;江苏省科委科学基金

摘　　要：使用不同剂量的电子束(1.0×10^(13)—6.0×10^(14)Rad,13Mev)对用PECVD法淀积的a-C:H薄膜进行了电子辐照改性研究。广角X光衍射、红外吸收、喇曼散射和共振核反应对样品结构的实验结果表明:在此剂量强度范围内,辐照使非晶碳膜的结构和成分有不同程度的变化。同时金刚石和石墨的晶粒和成分也有一定的变化。从氢的激活作用角度对以上结果进行了解释。The characteristics of a-C:H films radiated by different dose electron beam have beenstudied by X-ray diffraction, IR absorption, Raman scattering and Resonant nuclear reaction.Such doses radiation can lead the structure of a-C:H films to change in a different degree.The proportions of diamond crystalline and graphite structures in a-C:H films have a properchange simutanlously. The experiment results show a relationship to the action of hydrogenand have been given a proper explaination.

关 键 词：非晶碳膜 α-C:H 淀积 电子辐照 

分 类 号：TN304.8[电子电信—物理电子学]