孙剑

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供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文主题：MIS结构HMISSIPECVD法俘获截面更多>>
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本征α－Si∶H　MIS结构电导机制
《固体电子学研究与进展》1994年第4期335-341,共7页刘坤 褚君浩 孙剑 李标 汤定元 
利用本征α－Ｓｉ：Ｈ薄膜材料制成了Ａｌ－Ｓｉ（１－ｘ）Ｎｘ－ａ－Ｓｉ：Ｈ金属－绝缘体－半导体结构，用高精度差分电容谱仪在５０℃和暗背景条件下测量了这种结构的变频电容谱及变频电导谱。讨论了该ＭＩＳ结构中可能存在的电导机...
关键词：α-Si∶HMIS结构 电导机制 俘获时间 俘获截面 禁带态密度 
用PECVD法沉积α-C:H薄膜的研究
《固体电子学研究与进展》1992年第1期58-64,共7页顾书林 何宇亮 王志超 孙剑 程光熙 
轻工业部新技术开发及江苏省科委资助项目
本文报导了使用PECVD方法沉积的α-C:H溥膜的工艺条件、薄膜结构和物性之间的联系。指出,α-C:H膜中石墨和金刚石成分的比值密切相关于反应气氛CH_4/(CH_4+H_2)的比例以及沉积系统中的衬底温度和施加在平行板电极之间的直流偏压。最后,...
关键词：非晶碳膜 金刚石 沉积 PECVD法 
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