刘坤

作品数：15被引量：8H指数：1
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供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题：HG碲镉汞CD反型层中子更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《仪器仪表学报》《红外与毫米波学报》《物理学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
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窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量
《物理学报》1997年第5期964-968,共5页吴良津 刘坤 褚君浩 
运用量子电容谱测量技术，在窄禁带半导体材料ＩｎＳｂ和ＨｇＣｄＴｅ价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态．
关键词：半导体 窄禁带 价带 导带 共振缺陷态 
InSb　MIS结构的磁电容谱研究
《红外与毫米波学报》1997年第1期7-10,共4页吴良津 刘坤 褚君浩 
国家自然科学资金;中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题基金
测量了ｎ型ＩｎＳｂ金属－绝缘体—半导体（ＭＩＳ）器件的磁量子电容谱，发现ｐ型沟道中二维空穴子带对磁场有很大的依赖关系。
关键词：二维空穴气 磁电容谱 MIS器件 红外器件 
热释电系数自动测量系统研制被引量：1
《红外与毫米波学报》1996年第3期233-236,共4页何苏友 王秀金 刘坤 杨亚文 
上海市自然科学基金
采用计算机控制和数据采集及处理技术，建立了一套热释电系数自动测量系统．实验结果表明，该系统不仅测试精度高。
关键词：热释电系数 红外辐射探测器 热释电材料 
用室温红外透射谱研究Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜的组份分布
《红外与毫米波学报》1996年第2期81-86,共6页褚君浩 李标 刘坤 汤定元 
根据Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ本征吸收系数的经验公式及Ｈｏｕｇｅｎ模型，建立了一种用室温红外透射谱研究Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜组份均匀性的方法，用这种方法检测了ＬＰＥ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ薄膜的组份分布。
关键词：红外透射谱 外延薄膜 HGCDTE 
量子电容谱测试系统研制
《仪器仪表学报》1996年第3期225-230,共6页诸君浩 刘坤 郭少令 汤定元 
采用差分电桥，超导磁体和双氦池等技术研制成功高灵敏的量子电容谱测试系统，系统灵敏度高达０．００１ＰＦ，系统信噪比在测试频率大于１００Ｈｚ、被测信号为１０ＰＦ时高达１５０。
关键词：量子电容谱 测试系统 灵敏度 
金属-绝缘体-半导体器件红外探测机理研究
《物理学报》1995年第7期1137-1140,共4页刘坤 褚君浩 陈诗伟 赵军 汤定元 
建立金属-绝缘体-半导体器件反型层子能带结构的势理论模型,并由此模型研究了金属-绝缘体-半导体器件红外探测器的工作机理及制作的关键.
关键词：MIS 红外探测器 
汞压对液相外延(Hg,Cd)Te的液相线及组份的影响
《物理学报》1995年第6期853-861,共9页李标 褚君浩 陈新强 刘坤 曹菊英 汤定元 
Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的质量与生长过程中的汞压有关。根据缔合溶液模型及相图理论,计算了汞压不平衡时液相点温度移动及组份的变化,并就液相外延的生长条件进行了分析。
关键词：碲化镉 汞压 液相外延生长 薄膜 
非量子限条件下p型InSb MOS结构反型层中子能带实验研究
《红外与毫米波学报》1994年第5期369-375,共7页刘坤 褚君浩 欧海疆 汤定元 
在100K条件下测量了p型InSb MOS器件的变频电容-电压(C-V)谱,在反型区观察到第二子带填充电子的台阶效应,还发现一个位于导带中的共振缺陷态.采用非量子限多带C-V拟合模型获得了子能带结构.
关键词：电容谱 共振缺陷态 子能带 锑化铟 
本征α－Si∶H　MIS结构电导机制
《固体电子学研究与进展》1994年第4期335-341,共7页刘坤 褚君浩 孙剑 李标 汤定元 
利用本征α－Ｓｉ：Ｈ薄膜材料制成了Ａｌ－Ｓｉ（１－ｘ）Ｎｘ－ａ－Ｓｉ：Ｈ金属－绝缘体－半导体结构，用高精度差分电容谱仪在５０℃和暗背景条件下测量了这种结构的变频电容谱及变频电导谱。讨论了该ＭＩＳ结构中可能存在的电导机...
关键词：α-Si∶HMIS结构 电导机制 俘获时间 俘获截面 禁带态密度 
本征α－Si：H中隙态的时间常数及俘获截面被引量：1
《固体电子学研究与进展》1994年第3期236-240,共5页刘坤 褚君浩 李标 汤定元 
制成一批本征α－Ｓｉ：Ｈ的金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构；用高精密差分电容谱仪测量了这种结构在５０℃时的电容、电导谱；通过修正获得了由隙态决定的电导并求得了隙态俘获电子的时间常数及截面。
关键词：隙态 本征 α-Si:H材料 半导体材料 
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