InSb　MIS结构的磁电容谱研究  

STUDIES OF MAGNETO CAPACITANCE SPECTROSCOPY OF InSb MIS STRUCTURE

作　　者：吴良津[1,2] 刘坤[1,2] 褚君浩 

机构地区：[1]福州大学电子科学与应用物理系 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

出　　处：《红外与毫米波学报》1997年第1期7-10,共4页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家自然科学资金;中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题基金

摘　　要：测量了ｎ型ＩｎＳｂ金属－绝缘体—半导体（ＭＩＳ）器件的磁量子电容谱，发现ｐ型沟道中二维空穴子带对磁场有很大的依赖关系。By measuring the magneto capacitance spectroscopy of an n type InSb metal insulator semiconductor (MIS) structure, the 2 dimensional hole subband in the p type channel of the InSb MIS device was investigated under different magnetic fields at 1 2K.It was shown that the on set energy of the p type channel has a strong dependence on the magnetic field. This behavior has been attributed mainly to the dependence of the InSb band gap energy on magnetic field.

关 键 词：二维空穴气 磁电容谱 MIS器件 红外器件 

分 类 号：TN214.01[电子电信—物理电子学]