MIS器件

作品数：16被引量：13H指数：2
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退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响
《红外技术》2022年第4期351-356,共6页周伟佳 龚晓霞 陈冬琼 肖婷婷 尚发兰 杨文运 
采用原子层沉积技术制备Al_(2)O_(3)薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响。利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al_(2)O_(3)介电层引入了表面...
关键词：锑化铟 C-V特性 金属化后退火 原子层沉积 
Al掺杂ZnO纳米棒在柔性衬底上的生长及其性能研究
《中国陶瓷》2018年第12期20-24,共5页容萍 任帅 于琦 
国家自然科学基金青年科学基金(51502166)
利用水热法在PET-ITO柔性衬底上制备铝(Al)掺杂的ZnO纳米棒(ZnO∶Al)。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、I-V特性测试等分析了合成纳米材料的微观形貌、晶体结构、电学性能。结果表明,掺杂Al时对ZnO纳...
关键词：ZnO 水热法 PET-ITO 铝掺杂 MIS器件 
InSb阳极氧化膜界面特性研究被引量：1
《红外技术》2012年第4期191-195,共5页余黎静 李延东 信思树 郭雨航 杨文运 
用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳极氧化膜界面的掺杂浓度、界面态密度,氧化层中的固定电荷密度可动电荷密度等重要参数,分析其界面特性和...
关键词：阳极氧化 MIS器件 C-V特性 界面态密度 
HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(下)被引量：1
《红外》2007年第1期17-20,共4页何波 史衍丽 徐静 
介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTe MIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤．研究表明,自身阳极硫化+单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化的各项要求．
关键词：HGCDTE MIS器件 表面钝化 界面电学特性 
HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(上)被引量：2
《红外》2006年第12期4-9,共6页何波 史衍丽 徐静 
介绍了HgCdTe MIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤．利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式。
关键词：HGCDTE MIS器件 表面钝化 界面电学特性 
HgCdTe MIS器件制备及其C-V特性研究
《红外技术》2002年第5期42-45,共4页张朝阳 蔡毅 张鹏翔 
通过在P HgCdTe上生长阳极硫化膜和ZnS介质钝化层 ,制备出了性能较好的MIS器件 ,并通过对MIS器件C V特性的分析 ,获得了ZnS/自身钝化膜 /P HgCdTe的界面特性。所测的界面电荷密度在 10 10 ～ 10 11cm- 2 之间 ,平带电压在
关键词：HGCDTE MIS器件 C-V特性 红外焦平面探测器 
Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究
《红外与毫米波学报》2001年第4期249-252,共4页周咏东 方家熊 李言谨 龚海梅 吴小山 靳秀芳 汤定元 
国家高技术航天领域青年基金 (编号 :863 -2 .0 0 .4);江苏省教委自然科学基金 (编号 :98KJB43 0 0 0 1)资助项目~~
通过介质膜 Zn S、Cd Te薄膜材料的 Ar+ 束溅射沉积研究 ,结合 Hg Cd Te器件工艺 ,成功制备了以 Zn S、Cd Te双层介质膜为绝缘层的 Hg Cd Te MIS器件 ;通过对器件的 C- V特性实验分析 ,获得了 Cd Te/ Hg Cd Te界面电学特性参数 .实验表...
关键词：薄膜 HGCDTE 红外焦平面 器表面纯化 MIS器件 碲化镉 硫化锌 
紫外辐照对碲镉汞MIS结构复合特性的影响被引量：2
《红外与激光工程》1998年第1期48-51,共4页赵军 陆慧庆 龚海梅 方家熊 李言谨 
用光电导衰退法和ＭＩＳ器件的电容－电压特性测量研究了紫外辐照对碲镉汞样品的影响。研究表明：紫外辐照使ＭＩＳ器件的氧化膜／碲镉汞界面固定电荷减少，表面由强积累向平带变化；紫外辐照使碲镉汞样品的电阻明显增大，样品的表面复...
关键词：碲镉汞 光电导器件 紫外辐照 MIS器件 
InSb　MIS结构的磁电容谱研究
《红外与毫米波学报》1997年第1期7-10,共4页吴良津 刘坤 褚君浩 
国家自然科学资金;中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题基金
测量了ｎ型ＩｎＳｂ金属－绝缘体—半导体（ＭＩＳ）器件的磁量子电容谱，发现ｐ型沟道中二维空穴子带对磁场有很大的依赖关系。
关键词：二维空穴气 磁电容谱 MIS器件 红外器件 
L－B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性
《北京理工大学学报》1996年第2期116-120,共5页张亮 白玉白 李铁津 宋雯霞 王玉 
国家自然科学基金
利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件．通过对它的结构和电容－电压（Ｃ－Ｕ）特性曲线的研究，发现Ｌ－Ｂ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用Ｃ－Ｕ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质...
关键词：MIS器件 LB膜 单分子膜 MOS器件 电容-电压特性 
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