HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(下)  

Fabrication of HgCdTe MIS Device and Study of Interface Electrical Characteristics of Passivation Films on It (Ⅱ)

作　　者：何波[1] 史衍丽[2] 徐静[3] 

机构地区：[1]昆明理工大学光电子新材料研究所,昆明650051 [2]昆明物理研究所,昆明650223 [3]济南大学材料学院,济南250022

出　　处：《红外》2007年第1期17-20,共4页Infrared

摘　　要：介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTe MIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤．研究表明,自身阳极硫化+单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化的各项要求．The basic principle and steps to measure the interface state density energy distribution of the passivation films in HgCdTe MIS devices by a low and high frequency capacitance combination technology are presented. The study has indicated that the passivation films of self-anodic sulfidization ＋ ZnS have met all of the surface passivation requirements of the PV HgCdTe focal plane array （FPA） devices.

关 键 词：HGCDTE MIS器件 表面钝化 界面电学特性 

分 类 号：O471[理学—半导体物理]