郭雨航

作品数：2被引量：3H指数：1
导出分析报告
供职机构：昆明物理研究所更多>>
发文主题：衬底红外探测器晶片PZT锆钛酸铅更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《红外技术》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
热释电探测器PZT晶片制备工艺研究被引量：2
《红外技术》2013年第6期368-372,共5页黄江平 王羽 袁俊 王学森 郭雨航 余瑞云 
介绍了热释电探测器PZT晶片制备工艺及选择锆钛酸铅(PZT)陶瓷材料制作敏感元的理论依据,阐述了晶片磨抛理论,对磨抛质量影响因素进行了细致分析。对比了几种抛光液对晶片表面的抛光效果,并进行了扫描电镜和表面粗糙度分析,得到了抛光后...
关键词：热释电探测器 锆钛酸铅(PZT)材料 PZT晶片 研磨抛光 
InSb阳极氧化膜界面特性研究被引量：1
《红外技术》2012年第4期191-195,共5页余黎静 李延东 信思树 郭雨航 杨文运 
用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳极氧化膜界面的掺杂浓度、界面态密度,氧化层中的固定电荷密度可动电荷密度等重要参数,分析其界面特性和...
关键词：阳极氧化 MIS器件 C-V特性 界面态密度 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部