Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究  

FABRICATION AND STUDY ON THE HgCdTe MIS DEVICE OF CdTe+ZnS DOUBLE INSULATOR FILMS

作　　者：周咏东[1] 方家熊[2] 李言谨[2] 龚海梅[2] 吴小山[1] 靳秀芳[2] 汤定元[2] 

机构地区：[1]南京大学微结构物理实验室 [2]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083

出　　处：《红外与毫米波学报》2001年第4期249-252,共4页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家高技术航天领域青年基金 (编号 :863 -2 .0 0 .4);江苏省教委自然科学基金 (编号 :98KJB43 0 0 0 1)资助项目~~

摘　　要：通过介质膜 Zn S、Cd Te薄膜材料的 Ar+ 束溅射沉积研究 ,结合 Hg Cd Te器件工艺 ,成功制备了以 Zn S、Cd Te双层介质膜为绝缘层的 Hg Cd Te MIS器件 ;通过对器件的 C- V特性实验分析 ,获得了 Cd Te/ Hg Cd Te界面电学特性参数 .实验表明 :溅射沉积介质膜 Cd Te+Zn S对 Hg Cd Te的表面钝化已经可以满足 Hg CdThe HgCdTe MIS device of CdTe and ZnS double insulator layers was successfully fabricated by using the techniques of Ar+ beam sputtering deposition on CdTe and ZnS films and the HgCdTe device manufacture. The MIS device C-V measurement was used to give the electric character of the CdTe/HgCdTe interface. It is proved that the CdTe+ZnS double layer passivant can satisfy the surface passivation of HgCdTe infrared focal plane array.

关 键 词：薄膜 HGCDTE 红外焦平面 器表面纯化 MIS器件 碲化镉 硫化锌 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]