靳秀芳

作品数：6被引量：6H指数：2
导出分析报告
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题：探测器芯片碲镉汞GAN伏安特性肖特基势垒更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《红外与激光工程》《激光与红外》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：上海市科学技术委员会资助项目江苏省教委自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-6
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
电流冲击对长波光导MCT探测器的影响
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期314-317,共4页刘大福 吴礼刚 徐国森 章连妹 靳秀芳 龚海梅 
对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示:短时间(42mA,70h)的电流冲击对探测...
关键词：电流冲击 MCT 光导探测器 响应光谱 少子寿命 
低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响被引量：4
《红外与激光工程》2005年第1期15-18,共4页亢勇 李雪 肖继荣 靳秀芳 李向阳 龚海梅 方家熊 
利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36eV升高到400℃0...
关键词：GAN 金属-半导体-金属 伏安特性 退火 肖特基势垒 
GaN紫外探测器的Ti/Al接触的电学特性被引量：2
《红外与激光工程》2004年第6期662-665,共4页李雪 亢勇 陈江峰 靳秀芳 李向阳 龚海梅 方家熊 
上海市科学技术委员会资助项目(011661082和01QA14045)
在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火。实验结果表明,在非故意掺杂的样品上,随退火温度的升高,肖特基势垒高度下降,理想因子升高,表面状况逐渐变差,600℃退火形成较低接触电阻...
关键词：传输线模型 肖特基势垒高度 比接触电阻 隧穿电流 
Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究
《红外与毫米波学报》2001年第4期249-252,共4页周咏东 方家熊 李言谨 龚海梅 吴小山 靳秀芳 汤定元 
国家高技术航天领域青年基金 (编号 :863 -2 .0 0 .4);江苏省教委自然科学基金 (编号 :98KJB43 0 0 0 1)资助项目~~
通过介质膜 Zn S、Cd Te薄膜材料的 Ar+ 束溅射沉积研究 ,结合 Hg Cd Te器件工艺 ,成功制备了以 Zn S、Cd Te双层介质膜为绝缘层的 Hg Cd Te MIS器件 ;通过对器件的 C- V特性实验分析 ,获得了 Cd Te/ Hg Cd Te界面电学特性参数 .实验表...
关键词：薄膜 HGCDTE 红外焦平面 器表面纯化 MIS器件 碲化镉 硫化锌 
关于碲镉汞长波红外探测器中测筛选方法的意见
《激光与红外》1999年第6期343-344,共2页康荔学 章莲妹 靳秀芳 
多年来，我们研究室在碲镉汞长波红外探测器中测筛选中都采用滤波比筛选法，以滤波比等于０．１１划线，视滤波比小于０．１１的器件为不合格。但我们在十个月的千套碲镉汞长波器件中测过程中，发现滤波比小于０．１１的器件中。
关键词：红外探测器 滤波比 长波 筛选法 测试 
航空遥感用碲镉汞光导探测器的研究被引量：1
《红外与毫米波学报》1992年第3期257-260,共4页徐国森 朱龙源 靳秀芳 唐军 
介绍几种航空遥感用碲镉汞光导红外探测器的基本设计原理、结构及性能.
关键词：碲镉汞 光导探测器 航空 遥感 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部