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作 者:容萍 任帅 于琦[1] RONG Ping;REN Shuai;YU Qi(School of Materials Science and Engineering,Institute of Graphene at Shaanxi Key Laboratory of Catalysis,Shaanxi University of Technology,Hanzhong 723001,China)
机构地区:[1]陕西理工大学材料科学与工程学院陕西省催化基础与应用重点实验室石墨烯基础与应用研究所
出 处:《中国陶瓷》2018年第12期20-24,共5页China Ceramics
基 金:国家自然科学基金青年科学基金(51502166)
摘 要:利用水热法在PET-ITO柔性衬底上制备铝(Al)掺杂的ZnO纳米棒(ZnO∶Al)。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、I-V特性测试等分析了合成纳米材料的微观形貌、晶体结构、电学性能。结果表明,掺杂Al时对ZnO纳米棒生长有直接的影响。构建了添加Alq3为绝缘层的PET-ITO/ZnO纳米棒/Alq3/AgMIS(金属M-绝缘体I-半导体S)器件,并对其电学性能深入研究,实验表明该器件对整流特性有良好反应。The aluminum(Al) doped zinc oxide(ZnO) nanorods have been prepared on PET-ITO flexible substrate by hydrothermal method.The Microstructure, crystal structure and electrical properties of Al doped ZnO nanorods were characterized by XRD, SEM, TEM and current-voltage(I-V) test. The results showed that the growth of ZnO nanorods was directly affected by doping Al. We constructed the PET-ITO/ZnO nanorods/Alq3/Ag MIS devices, which use Alq3 as the insulating layers,and studied its electrical properties. The result showed a typical rectifying current voltage behavior.
关 键 词:ZnO 水热法 PET-ITO 铝掺杂 MIS器件
分 类 号:T0174.758[一般工业技术] TN304.82[电子电信—物理电子学]
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