非晶半导体

作品数：45被引量：30H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：王军转余林蔚陈坤基陈光华吴自勤更多>>
相关机构：南京大学中国科学院电子科技大学株式会社半导体能源研究所更多>>
相关期刊：《南京大学学报（自然科学版）》《盐城工学院学报（自然科学版）》《电子材料快报》《现代物理知识》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金上海市科委纳米专项基金安徽省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
英国物理学家内维尔·莫特爵士的科学人生
《物理教师》2019年第12期65-70,共6页侯捷 尹晓冬 
本文的研究内容是英国物理学家内维尔·弗朗西斯·莫特的生平经历、管理工作以及科学贡献.莫特于1977年获得诺贝尔物理学奖,他是非晶半导体领域的奠基者,是一位理论物理学家;同时他也在教育方面很有研究,将剑桥大学中一些不合理的教育...
关键词：莫特 卡文迪什实验室 固体物理 非晶半导体 
非晶半导体薄膜用Te系化合物靶材制备被引量：3
《工程科学学报》2019年第2期224-229,共6页潘兴浩 储茂友 王星明 刘宇阳 白雪 桂涛 张朝 
采用真空熔炼法,经急冷和缓冷两种不同冷却条件制备了Te系化合物TeAsGeSi合金粉体.通过X射线衍射分析,急冷工艺制备粉体呈非晶态,缓冷工艺制备的粉体呈晶态,结晶主相为R-3m空间群的As_2GeTe_4;差热-热重分析显示,升温至350℃时缓冷粉体A...
关键词：非晶半导体 粉体 靶材 TeAsGeSi 致密化 
电子束蒸发制备新型非晶半导体MgSnO薄膜
《光电子技术》2015年第1期70-72,共3页何海英 偰正才 罗怡韵 夏远凤 牛憨笨 
国家自然科学基金资助项目(10974136)
采用电子束蒸发镀膜工艺制备一种新型非晶半导体MgSnO薄膜。薄膜在可见光区具有较高的透过率,其平均透过率范围在86.14～92.05%,薄膜的光学带隙随着Mg含量的增加而增大。霍尔效应测试表明MgSnO薄膜为n型半导体,Mg含量可在一定程度上控...
关键词：MgSnO薄膜 电子束蒸发 电学特性 光学特性 
溅射气压对非晶Hg_(1-x)Cd_x Te薄膜微观结构和化学组分的影响(英文)
《发光学报》2012年第11期1224-1231,共8页王光华 孔金丞 李雄军 杨丽丽 赵惠琼 姬荣斌 
国家自然科学基金(60576069);国家火炬计划(2011GH011928)资助项目
采用射频磁控溅射制备了非晶态结构的Hg1-xCdxTe薄膜,并利用台阶仪、XRD、原子力显微镜、EDS等分析手段对薄膜生长速率、物相、表面形貌、组分比例进行了研究。实验结果表明,溅射气压对薄膜生长速率、微观结构、表面形貌和化学组分有直...
关键词：碲镉汞薄膜 非晶半导体 微观结构 表面形貌 磁控溅射 
非晶硅锗薄膜太阳能电池研究
《新乡学院学报》2012年第6期497-500,共4页赵红枝 黄娟 
新乡学院"理论物理"重点建设学科资助项目
介绍了薄膜电池的制备技术及发展进程.采用射频等离子体加强气相沉积法(PECVD),制备了非晶锗硅薄膜,提出了制备优质非晶锗硅薄膜的条件和非晶锗硅薄膜的基本性质及其制备工艺中存在的问题和解决方案.
关键词：非晶半导体 非晶硅锗薄膜 太阳能电池 
Ge_2Sb_2Te_5材料与非挥发相转变存储器单元器件特性被引量：2
《功能材料》2005年第8期1196-1199,共4页凌云 林殷茵 赖连章 乔保卫 赖云锋 冯洁 汤庭鳌 蔡炳初 Bomy.Chen 
国家自然科学基金资助项目(60376017);上海市纳米专项基金资助项目(0352nm011)
对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能。研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点,分析表明这是由于...
关键词：非晶半导体 阈值电压 相变存储器 
B_(0.44)C_(0.27)N_(0.29)化合物的合成、表征和性能被引量：5
《物理学报》2005年第10期4627-4632,共6页白锁柱 姚斌 苏文辉 
国家自然科学基金(批准号:50472003);教育部博士点基金(批准号:20040183063)资助的课题.~~
以硼酸和三聚氰胺为原料,利用化学法、真空热处理及高温高压技术对BCN化合物的形成、结构及相变进行了研究.在真空10-3Pa条件下,经1273K高温热处理得到非晶B_C_N前驱物.这种前驱物在920K以下为绝缘体,在920K由绝缘体转变为非晶半导体.在...
关键词：B-C-N 高温高压 拉曼和红外光谱 化合物 RAMAN散射 非晶半导体 真空热处理 电导激活能 六方结构 合成 
第19届国际非晶、微晶半导体会议综述
《国际学术动态》2001年第6期38-40,共3页陈坤基 
第19届国际非晶、微晶半导体会议(ICAM-19)于2001年8月26～30日在法国尼斯市举行,这是国际非晶态半导体领域中每两年一次的最大的系列学术交流大会,也是该领域科学家在本世纪的第一次聚会。来自40余个国家和地区的350余名代表出席了会...
关键词：非晶半导体 微晶半导体 会议 ICAM-19 
硼轻掺杂对a-Si∶H光电导层性能影响的研究被引量：3
《真空科学与技术》2001年第3期254-257,共4页钱祥忠 
安徽省自然科学基金资助项目! (99JL0 191)
用等离子体增强化学气相沉积法制备了厚为 1μm左右的B轻掺杂a Si∶H光电导层 ,得到了a Si∶H的暗电导率与淀积工艺参数和B掺杂比关系的实验曲线 ,利用该曲线确定了最佳工艺参数和最佳掺杂比。测量了最佳参数下淀积的a Si∶H薄膜的电学...
关键词：硼轻掺杂 光导层 掺杂比 等离子体增强化学气相沉积 硅氢薄膜 投影机 液晶光阀 非晶半导体 
非晶半导体的研究与应用被引量：2
《功能材料》2001年第4期348-352,共5页清水立生 严辉 
1968年Ovshinsky在多元硫系薄膜中观察到电的开关与存贮效应以来 ,特别是 1975年氢化非晶Si的 p型与n型掺杂控制的实现 ,非晶半导体作为一个重要的电子材料 ,在过去的30多年中吸引了大量的基础研究并得到了广泛的应用。本文综述了至今...
关键词：硫系非晶半导体 氢化非晶硅 电子材料 
全选清除导出
共5页<12345>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部