纳米硅薄膜的研制  

作　　者：何宇亮[1] 刘湘娜[1] 王志超[1] 程光煦[2] 王路春 余是东 

机构地区：[1]南京大学物理系,南京210008 [2]南京大学固体微结构实验室,南京210008

出　　处：《中国科学（A辑）》1992年第9期995-1001,共7页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：使用大量氢稀释硅烷,严格控制PECVD系统中的工艺参数,分别沉积出a-Si:H,nc-Si:H 以及μc-Si:H薄膜.使用HREM,Raman及X射线谱,探讨了nc-Si:H膜的结构特征.结果表明,它已符合国际上对于固体纳米材料的认识.由于结构上的新颖性,使它具有一系列鲜为人知的物性.

关 键 词：纳米硅 非晶硅 微晶硅 薄膜 硅 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]