a-Si∶H/a-SiN_x∶H超晶格薄膜的光声谱  

P HOTOACUSTIC SPECTROSCOPY OF a-Si:H/a-SiN_x:H SUPERLATTICE FILMS

作　　者：邱树业[1] 王志超[2] 刘湘娜[2] 冯小梅[2] 

机构地区：[1]南京大学声学研究所 [2]南京大学物理系

出　　处：《南京大学学报（自然科学版）》1990年第1期32-38,共7页Journal of Nanjing University（Natural Science）

摘　　要：我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。Whem the nonradiative recombination of carriers and the quantum size effect in thea-Si: H/a-SiN_x: H superlattice films have are studied by photoacoustic techonlogy, it is discovered that the nonradiative recombination of carriers is related to the defects in the superlattice film and the optical gap of the film increases with the decrease of width of the well.

关 键 词：半导体 超晶格 薄膜 光声谱 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]