陈岭

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
发文主题：正电子湮没SI正电子N-GAASGAAS更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《南京大学学报（自然科学版）》《Journal of Semiconductors》更多>>
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未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究
《南京大学学报（自然科学版）》1990年第1期39-42,共4页吴凤美 滕敏康 沈德熏 陈岭 
用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文还讨论了电子和中子辐照的影响。
关键词：砷化镓 正电子湮没 退火行为 辐照 
高Tc超导体Y-Ba-Cu-O超导临界涨落的正电子湮没研究
《南京大学学报（自然科学版）》1989年第1期36-40,共5页陈岭 滕敏康 
利用正电子湮没技术寿命谱测量系统首次细致地测量了高Tc超导体Y-Ba-Cu-O材料在Tc转变点附近的正电子湮没寿命谱参数的变化特性,发现在Tc处正电子湮没寿命呈峰。根据超导涨落的KSS理论和BCS超导理论的形式,推导出了正电子在超导转变溫...
关键词：高TC超导体 正电子湮没 临界涨落 
SI^-、n-GaAs正电子湮没特性的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1989年第1期18-23,共6页吴凤美 沈德勋 滕敏康 陈岭 唐杰 张德宏 
用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2...
关键词：GAAS 正电子湮没 寿命 
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