HgCdTe化学束外延  

作　　者：C J Summers 李玲 

机构地区：[1]美国佐治亚技术研究院物理科学实验室和微电子研究中心

出　　处：《红外》1994年第6期14-19,共6页Infrared

摘　　要：本文讨论化学束外延解决的Hg_(1-x)Cd_xTe生长和掺杂中关键性材料问题的能力,及其增强组分和生长率控制的优点。通过评述窄禁带合金(X<0.3)的电子学和光导性能和对n-型碘掺杂CdTe的初步研究,实验演证了这一技术。

关 键 词：HGCDTE 化学束外延 掺杂 半导体 电光性能 

分 类 号：TN204[电子电信—物理电子学] TN304.054