化学束外延

作品数：16被引量：7H指数：2
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挠性防水石墨烯导电膜的制备及其性能测试
《印制电路信息》2020年第10期16-22,共7页陈存宇 赵德海 陈冠刚 黄凯龄 
挠性防水石墨烯导电膜除了表层具有低电阻率、高导热性能外,不同于石墨烯板的地方,就是它具有很高的弯曲强度和弯曲模量及优良的防水性能,适合于穿戴电子、柔性电子和医疗电子,是一种很有发展前途的材料。
关键词：石墨烯 化学束外延再生技术 电化学离层 再生 卷对卷操作 
用于多结叠层太阳电池的GaInAsN材料研究进展被引量：3
《电源技术》2015年第10期2321-2324,共4页张启明 张恒 刘如彬 唐悦 孙强 
1.0eV的GaInAsN材料是实现与Ge或GaAs衬底晶格匹配的高效多结叠层太阳电池的理想材料。但是,目前制备高质量的GaInAsN材料较为困难,使得相应电池性能低下,未能达到预想的效果。介绍了几种生长GaInAsN材料的外延工艺,探讨了各种外延方法...
关键词：GA In As N 多节叠层太阳电池 金属有机气相沉积 分子束外延 化学束外延 
光电子技术
《中国无线电电子学文摘》1995年第5期15-33,共19页
关键词：光电子技术 化学束外延 光电探测器 发光二极管阵列 中值滤波 雪崩光电管 毫米波 光电二极管 激光波长 红外 
化学束外延—太阳能光伏应用上的一项突破性技术被引量：3
《新能源》1995年第6期1-4,共4页昌东奎 
关键词：太阳能电池 化学束外延 应用 
化学束外延在光电子技术应用中的进展
《激光与红外》1995年第4期6-10,共5页周增圻 
本文简要介绍了ＣＢＥ技术，综述了近年来ＣＢＥ在光电子技术领域内取得的进展。
关键词：化学束外延 光电子技术 化学汽相淀积 应用 
HgCdTe化学束外延
《红外》1994年第6期14-19,共6页C J Summers 李玲 
本文讨论化学束外延解决的Hg_(1-x)Cd_xTe生长和掺杂中关键性材料问题的能力,及其增强组分和生长率控制的优点。通过评述窄禁带合金(X<0.3)的电子学和光导性能和对n-型碘掺杂CdTe的初步研究,实验演证了这一技术。
关键词：HGCDTE 化学束外延 掺杂 半导体 电光性能 
CBE气态源炉的研制
《真空》1992年第4期34-37,共4页朱世荣 孙殿照 孔梅影 
本文主要介绍我们研制的ＣＢＥ气态源炉和在我们与沈阳科学仪器厂联合研制的 ＣＢＥ系统上的使用结果。并简介国际上气态源炉的研制概况。
关键词：气态源炉 化学束外延 半导体 
化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料被引量：1
《半导体情报》1991年第6期46-48,共3页孙殿照 阎春辉 国红熙 朱世荣 黄运衡 曾一平 孔梅影 
在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10^(15)cm^(-3),μ_(300K)=280cm^2/V·s,μ_(77K)=5000cm^2/v·s,基本没有表面椭圆缺陷,InGaAs/...
关键词：化合物半导体 量子阱 外延生长 
国内首台化学束外延(CBE)系统的设计考虑及外延结果
《半导体情报》1991年第6期79-80,共2页孙殿照 孔梅影 韩汝水 朱世荣 阎春辉 国红熙 付首清 周增圻 张晓秋 黄运衡 谢琪 刘世闯 雷震林 张利强 余文斌 乔金梁 
研制了国内首台化学束外延(CBE)系统。半导体所用此系统进行了CBE实验,获得质量良好的半导体材料。本文给出该系统的设计考虑及CBE实验结果。
关键词：化学束外延 设备 半导材料 设计 
CBE设备的控制系统
《半导体情报》1991年第6期82-84,共3页韩汝水 付首清 张利强 余文斌 
化学束外延(CBE)是半导体超薄层材料生长技术的最新发展,它兼有MBE和MOCVD两者的优点。我们研制出了CBE设备。本文给出了CBE设备的控制系统的硬、软件设计。
关键词：化学束外延 设备 控制 硬件 软件 
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