多孔硅发光机理的研究  

作　　者：周咏东 金亿鑫[1] 宁永强[1] 元金山 

机构地区：[1]中国科学院长春物理研究所,长春130021

出　　处：《科学通报》1994年第8期699-702,共4页Chinese Science Bulletin

摘　　要：自从Canham报道了多孔硅的高效可见光发射后,国内外许多研究组开展了对多孔硅发光的研究.人们希望利用多孔硅的高效可见光发射弥补硅材料低带隙、间接带的弱点,实现廉价的全硅光电集成,同时可以制备廉价的显示器件.虽然已有人制备出了多孔硅光探测器、电致发光器件,但对多孔硅可见光发射现象产生的机理还在进一步研究之中.一种观点认为是由于多孔硅形成了纳米量级的硅柱造成的量子限制效应引起的高效可见光发射;近来有人提出是由于其中的硅氧烯(Siloxene)发光所致;当然还有一些其它看法。

关 键 词：多孔硅 光致发光 硅 发光机理 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]