氮化硅晶须的制备与显微结构  

Preparation and Microstructure of Si_3N_4 Whiskers

作　　者：周延春[1] 陈声崎[1] 夏非[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所

出　　处：《人工晶体学报》1994年第2期151-155,共5页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文通过对Ｓｉ－Ｃ－Ｎ－Ｏ系统的热力学分析，利用ＳｉＯ＿２和石墨为原料分别在１２００～１３００℃和１２５０～１４００℃流动Ｎ＿２气氛中制备了α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须和β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须。并对Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的合成反应机理进行了讨论。In this paper,based on the thermadynamic analysis of the Si-C-N-O system,in a flowing N_2 atomosphere using SiO_2and C as raw materials ,α-Si_3 N_4 and β-Si_3N_4 whiskers were synthesized at 1200-1300℃ and 1250-1400℃ respectively. The formation mecha-nism of Si_3N_4 whiskers was discussed.

关 键 词：氮化硅 晶须 晶须生长 显微结构 

分 类 号：O613.72[理学—无机化学]