在薄氧化层上淀积多晶硅的最佳条件  

作　　者：周树山 陈江华 

出　　处：《山东半导体技术》1994年第3期64-69,共6页

关 键 词：多晶硅 薄膜 氧化层 淀积层 

分 类 号：TN304.120[电子电信—物理电子学]