VLSI多层互连可靠性　第一部分:电迁移失效(一)  

作　　者：武国英[1] 李志宏[1] 陈文茹 郝一龙[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《微电子技术》1994年第1期1-10,共10页Microelectronic Technology

关 键 词：VISI 电迁移 可靠性 多层互连 

分 类 号：TN470.597[电子电信—微电子学与固体电子学]