VLSI多层互连可靠性　第一部分　电迁移失效(二)  

作　　者：武国英[1] 李志宏[1] 陈文茹[1] 郝一龙[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子所,北京100871

出　　处：《微电子技术》1994年第2期1-9,共9页Microelectronic Technology

关 键 词：VLSI 电迁移 可靠性 多层互连 

分 类 号：TN470.597[电子电信—微电子学与固体电子学]