一种2μmp阱CMOS工艺  

A2-μm p-Well CMOS process

作　　者：蒋志[1] 王勇[1] 华光平 

机构地区：[1]清华大学微电子所

出　　处：《微电子学》1994年第2期51-55,共5页Microelectronics

摘　　要：本文介绍了我们开发的２μｍｐ阱ＣＭＯＳ工艺，包括不同工艺方案的设计，主要参数的选取、调整及实验结果。给出不同工艺方案的比较及实验结果对比，最后给出我们选定的２μｍｐ阱ＣＭＯＳ工艺方案及主要电学参数。A 2-μm p-Well CMOS Procese has been developed. The design of different processes schemes,,selection andmodification of major porameters and experimental results are described in the paper.Comparisons of different processesand results are ptesented,Principol electric parameters for the selected 2-μm p-well CMOS process given.

关 键 词：2微米工艺 CMOS技术 工艺 集成电路 

分 类 号：TN432.05[电子电信—微电子学与固体电子学]