IGBT关断瞬态特性分析  

作　　者：刘晖 余岳辉 

出　　处：《微电子学》1994年第6期55-57,共3页Microelectronics

摘　　要：本文基于ＮＪＴ的开基区关断过程，提出了ＩＧＢＴ关断瞬态的电荷控制模型，正确描述了阴极处耗尽层扩展区效应及反注入少数载流予效应，推导出关断时电流随时间的解析表达式，并讨论了缩短关断时间，优化器件设计的原则。

关 键 词：IGBT BJT 绝缘栅 双极晶体管 关断瞬态特性 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]