红外焦平面技术的重要进展──单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技术  

作　　者：魏同立[1] 郑茳[1] 吴金 

机构地区：[1]东南大学微电子中心

出　　处：《物理》1994年第3期167-171,共5页Physics

摘　　要：由ＳｉＧｅ合金与Ｓｉ构成的应变层异质结构、量子阱是８０年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式ＳｉＧｅ红外焦平面阵列的物理基础、高质量ＳｉＧｅ材料的制备以及低温ＳｉＧｅ器件研制中的几个关键技术。

关 键 词：红外探测器 焦平面阵列 锗化硅 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]