光照下n-InP/溶液界面击穿过程的研究  

A Study of Breakdown Process Between n-InP/ Solution Interface at Irradiation

作　　者：钱道荪[1] 朱振华[2] 赵俊 

机构地区：[1]上海交通大学应用化学系 [2]上海交通大学应用化学系 上海 200030 [3]上海 200030

出　　处：《物理化学学报》1994年第1期61-63,共3页Acta Physico-Chimica Sinica

摘　　要：应用大信号电流阶跃法研究光照下半导体电极/溶液界面的击穿过程尚未见报导。本文用此法研究了光照下n-InP/Fe³⁺,Fe²⁺溶液的击穿行为,提出了击穿机理,测定了电流密度及光强的影响,计算了一些击穿时的参数。 1 实验部分实验用半导体电极为掺Sn的n-InP（（100）面）,其N_D=2×10¹⁷cm^-3。电解液组成为0.1mol·L^-1FeCl₃+0.1mol·L^-1FeSO₄+1mol·L^-1HCl,测试方法同前文,电极电位相对于饱和甘汞电极。 2 结果及讨论图1为光强为40mW·cm^-2时,不同电流密度下的光电压-时间曲线,从图1可看出,当电流密度较低时,光电压随时间增加而增加（曲线1及2）。而当电流密度较大时,光电压随时间而迅速上升并达到不变值（曲线3、4及5）,此时产生了击穿现象。In this work, the tunneling breakdown of n-InP electrode using large signal current density step has been investigated. The influence of current density on the tunneling breakdown is not obvious, but the light intensities affect the breakdown severely. Some parameters are calculated during breakown and explained.

关 键 词：磷化铟 半导体电极 电流阶跃法 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]