区熔吸除硅片的制备和应用  

作　　者：陈燕生[1] 刘桂荣[1] 

机构地区：[1]北京科技大学

出　　处：《稀有金属》1994年第5期378-382,共5页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：氢气氛下拉制的区熔硅单晶，经中子辐照和分步热处理可制备出区熔吸除硅片。铜缀饰表明，氢沉淀具有很强的吸铜作用。在硅靶摄像管的应用中，证实了区熔吸除硅片制成的管芯性能良好。

关 键 词：区熔吸除硅片 制备 应用 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]