陈燕生

作品数：5被引量：2H指数：1
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供职机构：北京科技大学更多>>
发文主题：单晶氢硅SI单晶微缺陷更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
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硅单晶中的氢催化氧沉淀
《山东师范大学学报（自然科学版）》1998年第3期271-274,共4页李怀祥 薛成山 周武 陈鲁生 刘桂荣 陈燕生 
国家自然科学基金
红外光谱法研究了硅单晶中的氢催化氧沉淀．氧含量为６×１０１７ａｔｏｍｓ·ｃｍ－３的直拉硅（ＣＺ—Ｓｉ）经氢气氛下区熔再成晶后，间隙氧浓度下降约２０倍．红外光谱测量１２３０ｃｍ－１吸收带结果表明，６５０～８５０℃热处理...
关键词：氧沉淀 氢催化 硅 单晶 
硅中氢致缺陷和微缺陷氢沉淀的消除及其应用被引量：1
《北京科技大学学报》1996年第1期50-54,共5页陈燕生 刘桂荣 李怀祥 
氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶，原生晶体经化学腐蚀，观察不到缺陷，包括微缺陷。但当块状热处理后，经腐蚀常常观察到尺度ｍｍ数量级的氢致缺陷（　型缺陷、麻坑）和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷，原生单晶需片状供应，片厚...
关键词：硅 单晶 氢 沉淀 
NTDFZ（H）－Si单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用
《稀有金属》1995年第3期231-234,230,共5页陈燕生 刘桂荣 王培清 陈炳贤 张文成 郑慧秀 解俊东 
ＮＴＤＦＺ（Ｈ）－Ｓｉ单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用陈燕生，刘桂荣，王培清（北京科技大学１０００８３）（清华大学电力电子厂）陈炳贤，张文成，郑慧秀，解俊东（中国科学院原子能研究院）（冶金部自动化研究院）关键...
关键词：硅 单晶 热处理 微缺陷 功率器件 
区熔吸除硅片的制备和应用被引量：1
《稀有金属》1994年第5期378-382,共5页陈燕生 刘桂荣 
氢气氛下拉制的区熔硅单晶，经中子辐照和分步热处理可制备出区熔吸除硅片。铜缀饰表明，氢沉淀具有很强的吸铜作用。在硅靶摄像管的应用中，证实了区熔吸除硅片制成的管芯性能良好。
关键词：区熔吸除硅片 制备 应用 
区熔工艺和中照条件对NTD FZ(H)-Si单晶退火行为的影响被引量：1
《稀有金属》1990年第1期29-31,59,共4页陈燕生 李秋生 王丛华 陈炳贤 高秀清 
采用后热区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶,其退火曲线与常规区熔(氢)工艺控制的NTD FZ(H)-Si单晶退火曲线一样,有氢施主,而采用后冷区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶其退火曲线没有氢施主,但有辐照。辐照施主峰大小与快中子积分通量有关,通量愈...
关键词：单晶 退火 区熔工艺 中照条件 
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