NTDFZ（H）－Si单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用  

作　　者：陈燕生[1] 刘桂荣[1] 王培清[1] 陈炳贤[1] 张文成[1] 郑慧秀[1] 解俊东 

机构地区：[1]北京科技大学,清华大学电力电子厂,中国科学院原子能研究院

出　　处：《稀有金属》1995年第3期231-234,230,共5页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：ＮＴＤＦＺ（Ｈ）－Ｓｉ单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用陈燕生，刘桂荣，王培清（北京科技大学１０００８３）（清华大学电力电子厂）陈炳贤，张文成，郑慧秀，解俊东（中国科学院原子能研究院）（冶金部自动化研究院）关键词：区熔，硅单晶，热处理，微缺陷，...

关 键 词：硅 单晶 热处理 微缺陷 功率器件 

分 类 号：O613.72[理学—无机化学]