区熔工艺和中照条件对NTD FZ(H)-Si单晶退火行为的影响  

作　　者：陈燕生[1] 李秋生 王丛华 陈炳贤[2] 高秀清[2] 

机构地区：[1]北京科技大学 [2]中国原子能科学研究院

出　　处：《稀有金属》1990年第1期29-31,59,共4页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：采用后热区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶,其退火曲线与常规区熔(氢)工艺控制的NTD FZ(H)-Si单晶退火曲线一样,有氢施主,而采用后冷区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶其退火曲线没有氢施主,但有辐照。辐照施主峰大小与快中子积分通量有关,通量愈大热快比愈小,辐照施主峰愈大。

关 键 词：单晶 退火 区熔工艺 中照条件 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]