AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展  

Progress of the Research on Current Collapse of AlGaN/GaN HEMTs

作　　者：王翠梅[1] 王晓亮[1] 王军喜[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《固体电子学研究与进展》2005年第1期35-41,共7页Research & Progress of SSE

基　　金：中科院创新工程重要方向性项目经费;国家自然科学基金重点项目 (No.60 13 60 2 0 )经费;"973"项目 (No.G2 0 0 0 0 683和2 0 0 2 CB3 1190 3 )经费;"863"项目 (2 0 0 2 AA3 0 5 3 0 )经费的资助

摘　　要：简要回顾了 Al Ga N/Ga N HEMT器件电流崩塌效应研究的进展 ,着重阐述了虚栅模型、应力模型等几种解释电流崩塌效应形成机理的模型和器件钝化、生长盖帽层等减小电流崩塌效应的措施。A review on the progress and resear ch of current collapse of AlGaN/GaN HEMTs is presented. The reason caused the cu rrent collapse is briefly introduced, including the model of virtual gate and bi as stress and so on. A few methods to decrease current collapse, such as passiva ting, growing capped layer are also described.

关 键 词：铝镓氮/氮化镓 高温电子迁移率晶体管 电流崩塌效应 功率器件 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]