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作 者:郝兰众[1] 李燕[1] 邓宏[1] 刘云杰[1] 姬洪[1] 张鹰[1]
机构地区:[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都610054
出 处:《功能材料》2005年第3期346-347,共2页Journal of Functional Materials
基 金:国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(51310z)
摘 要:采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的SrTiO3 单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/Ba TiO3 超晶格薄膜。在超晶格薄膜生长过程中,采用高能电子衍射技术(RHEED)对LaAlO3/BaTiO3 超晶格薄膜的生长过程以及平面晶格变化进行了分析。通过对超晶格薄膜中各层RHEED衍射条纹的分析计算发现超晶格薄膜存在一个临界厚度,其值约为 17nm,当超晶格薄膜的厚度小于该临界厚度时,晶格畸变在逐渐增加,当厚度超过该临界厚度时,晶格畸变因弛豫现象的产生而逐渐减小。超晶格薄膜中不同层的RHEED衍射条纹的差别说明了由于不同应力的作用使超晶格薄膜中LAO层和BTO层表面粗糙度不同。LaAlO3/BaTiO3 superlattices were prepared by laser molecular beam epitaxy (L-MBE). During experiments, the growth of LaAlO3/BaTiO3 superlattice was inspected by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) technologies. By research, the changing curve of in-plan lattice was given, and then the critical thickness of the superlattice, which was 17 nm for the LaAlO3/BaTiO3 superlattice designed here, was obtained.
关 键 词:LaAlO3/BaTiO3 超品格薄膜 RHEED 临界厚度
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