疏水型介孔氧化硅薄膜的制备与研究  

Preparation and Investigation of Hydrophobic Mesoporous Silica Films

作　　者：吴兆丰[1,2] 吴广明[1] 姚兰芳[1] 刘枫[1] 

机构地区：[1]同济大学波耳固体物理研究所 [2]盐城工学院基础部,盐城224003

出　　处：《材料导报》2005年第3期106-108,共3页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金委重点基金项目(20133040);上海市自然科学基金项目(02ZE14101);上海市科委中法合作项目(02SL0010);国家高技术863计划(2002AA842052);上海市重点学科建设项目

摘　　要：报道了一种新型疏水型介孔氧化硅薄膜的制备方法。用红外光谱、小角 XRD、原子力显微镜对样品进行了表征,并采用椭偏仪和阻抗分析仪测量薄膜的折射率和介电常数。该薄膜具有很低的介电常数和较好的机械强度,是一种可用于微电子工业、极富应用前景的低介电常数材料。A novel route to prepare mesoporous SiO_2 films is reported in this paper.FTIR,XRD and AFM are used to characterize the films.The refractive index and dielectric constant are measured by Ellipsometer and impedance analysis apparatus.The films with low dielectric constant and good mechanical properties can be acquired by adjusting the concentration of CTAB and aging time.

关 键 词：介孔氧化硅 疏水型 制备方法 新型 低介电常数 表征 硅薄膜 微电子工业 折射率 原子力显微镜 

分 类 号：TB32[一般工业技术—材料科学与工程] TQ127.2[化学工程—无机化工]