PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性  

Field-induced displacement properties of nanoscale domain structure in PZT thin film

作　　者：曾华荣[1] 余寒峰[1] 初瑞清[1] 李国荣[1] 殷庆瑞[1] 唐新桂[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050 [2]广东工业大学应用物理学院,广州510090

出　　处：《物理学报》2005年第3期1437-1441,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :2 0 0 2CB613 3 0 7)资助的课题~~

摘　　要：利用扫描力显微术的压电响应模式 ,并基于逆压电效应原理 ,研究了梯度组成的PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性 .获得了源于纳米尺度铁电畴的压电效应和电致伸缩效应贡献的场致位移回滞线 ,以及源于线性压电效应和电畴反转效应综合贡献的纳米尺度压电位移 场强蝶形曲线 ,证实了Caspari Merz理论在纳米尺度上的有效性 .发现了梯度铁电薄膜存在纳米尺度印刻现象 ,认为该现象的内因源于薄膜中的内偏场 .Nanoscale characterization of field-induced displacement was made in compositionally graded PZT thin film according to the inverse piezoelectric effects by SFM in contact mode. The nanoscale piezoelectric displacement - electric field butterfly loop was obtained due to the combined contribution from linear piezoelectric effect and domain switching effect, which substantiate nanoscale validity of Caspari-Merz theory. The nanoscale imprint phenomena were also observed in the thin film.

关 键 词：铁电畴 PZT铁电薄膜 电位移 纳米尺度 梯度 线性 逆压电效应 电致伸缩效应 压电响应 场强 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TM22[理学—物理]