AlGaN紫外光探测器外延材料生长研究  

作　　者：赵红[1] 赵文伯[1] 周勇[1] 杨晓波[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《半导体光电》2005年第B03期101-102,121,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：报道了在蓝宝石衬底上采用金属有机物化学气相淀积技术成功地生长出了GaN基紫外探测器阵列外延材料，生长的高A1组分AlxGa1-xN(x≥0．4)薄膜不裂、表面光亮。并采用X-射线双晶衍射、显微照片等方法对薄膜质量进行了表征。生长的高Al组分AlxGa1-xN薄膜已用于研制64×64元日盲型紫外探测器焦平阵列。

关 键 词：金属有机物化学气相淀积 紫外光 AlxGa1-xN薄膜 焦平面阵列 

分 类 号：TN364.2[电子电信—物理电子学]