氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的椭偏仪及背散射研究  

Ellipsometer and RBS studies of ZnO/Si grown by O^+-assisted PLD

作　　者：李庚伟[1] 张建辉[2] 

机构地区：[1]中国地质大学材料科学与工程学院,北京100083 [2]中国科学院半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《渤海大学学报（自然科学版）》2005年第1期6-8,共3页Journal of Bohai University:Natural Science Edition

基　　金：国家"八六三"计划资助项目(863-715-001-0162)

摘　　要：通过对ZnO/Si(Ⅲ)样品的椭偏仪及背散射(RBS)测量及分析,探究了氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长ZnO/Si的薄膜厚度。Heteroepitaxial structure ZnO/Si(Ⅲ)grown by O+-assisted pulsed laser deposition(PLD)has been investigated by using Ellipsometer and RBS measurements. The thin film depth has been computed.

关 键 词：ZnO/Si异质结构 椭偏仪 背散射(RBS) 氧离子束辅助(O^+-assisted)脉冲激光淀积(PLD) 

分 类 号：O611[理学—无机化学]