激活层厚度对a-Si TFT特性的影响(英文)  

THE THICKNESS EFFECTS OF THE ACTIVE LAYER ON THE CHARACTERISTICS OF a-Si TFT

作　　者：徐重阳[1] 刘瑞林 邹雪城[1] 

机构地区：[1]华中科技大学团体电子学系,武汉430074

出　　处：《液晶通讯》1994年第1期30-33,共4页

摘　　要：a Si TFT 是有源矩液晶显示器件的关键元件，为了得到最佳的特性，除了改进用于制造a Si TFT的材料外，a Si TFT的几何结构达到最佳化是非常重要的。显然，a-Si TFT激活层的厚度效应应当被考虑。在本文中，在两个方面研究了a-Si TFT激活层的厚度效应，即弱场情况和常带宽状态或是费米能级移动密度减小方向的情况。详尽的讨论表明a-Si TFT的关态电流，开态电流以阈值电压等特性不仅与材料特性相关，而且与a-Si TFT结构设计紧密相关。The 'thickness effects' of the active layer on the characteristics of a-Si TFT is studied under two cases , i. e. , the case of the weak field and that of constant gap states or of which the Fermi level shift is in the direction to decrease the density of states. The discussions indicate that the characteristics, such as the ON -current, OFF-current and the threshold voltage, of a-Si TFT depend not only upon the material properties, but also upon the optimesation of the structure design of a-Si TFT.

关 键 词：液晶显示器 A-SITFT 激活层 厚度 

分 类 号：TN141.9[电子电信—物理电子学] TN104.3