A-SITFT

作品数:8被引量:9H指数:2
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多晶硅薄膜的激光晶化技术被引量:1
《光机电信息》2008年第4期7-10,共4页邵喜斌 
1引言 多晶硅薄膜晶体管(P-SiTFT)在有源LCD和有源OLED中都有重要应用。在有源LCD中,a-SiTFT LCD目前占据绝大部分市场,尤其在大尺寸液晶电视和液晶显示器等方面,p-SiTFT LCD只是在中小尺寸中要求高分辨率的应用领域占据了一部分...
关键词:多晶硅薄膜晶体管 激光晶化 有源OLED A-SITFT p-SiTFT 技术 LCD 液晶显示器 
a-SiTFT有源矩阵的单故障交流导纳分析
《仪器仪表学报》2004年第2期212-216,共5页宋跃 邹雪城 
国防基金资助项目 (99J2 .4.1.JW0 5 14 )
为检测 a- Si TFT有源矩阵板缺陷 ,提出了 TFT阵列测试电流环路模式和交流导纳单故障模型 ,研究了 TFT像素单元交流导纳特性和缺陷效应 ,研究发现 TFT单元在无缺陷时 ,它的等效电导、电容是测试信号频率和 TFT沟道电阻的函数 ,在出现任...
关键词:缺陷模型 导纳特性 电流环路 归一化 缺陷效应 A-SITFT TFT-LCD 
a-SITFT对TFT-AMLCD光学特性的影响被引量:2
《应用光学》2001年第6期1-3,14,共4页钱祥忠 成建波 
安徽省自然科学基金资助项目 (99JL 0 191)
分析非晶硅晶体管 (a- Si TFT)的电学特性与薄膜晶体管 -有源矩阵液晶显示 (FTF-AMLCD)光学特性的内在联系。讨论加在 a- Si TFT源极上的驱动电压、a- Si TFT的寄生电容和阵列结构对 TFT-
关键词:非晶硅晶体管 薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示 光学特性 电学特性 驱动电压 寄生电容 阵列结构 
a-SiTFT/PIN图像传感器件被引量:2
《Journal of Semiconductors》2001年第1期83-90,共8页赵颖 熊绍珍 李璟 周祯华 李俊峰 
国家自然科学基金! ( 6 95 770 11)&&
在模拟计算以 a- Si TFT为有源开关 ,以 a- Si PIN为光敏源的有源成像器件工作特性与各单元元件关系的基础上 ,详细讨论了单元器件的材料、物理参数对 a- Si TFT/PIN耦合对特性的影响 ,并给出一定试验结果 .用 L ED光源照射 a- Si PIN...
关键词:有源选址 非晶硅薄膜晶体管 非晶硅光敏二极管 图像传感器 
a-SiTFT中钼与非晶硅之间的互作用
《光电子.激光》1999年第2期102-106,112,共6页赵颖 熊绍珍 王宗畔 孟志国 代永平 周祯华 张建军 姚伦 
国家自然科学基金;天津市21世纪青年基金
本文报导当在室温下向非晶硅(a-Si)表面溅射钼(Mo)的过程中,Mo与非晶硅发生互作用的现象。该互作用要求一定的临界溅射功率与钼层厚度。其作用速率在a-Si界面为反应速率限制,而在与Mo交界面则为扩散速率限制。互作...
关键词:非晶硅 钼硅互作用 非晶钼硅合金 薄膜晶体管 
a-SiTFT LCD象素电压跳变特性研究被引量:1
《电子学报》1994年第8期59-64,共6页张盛东 薛文进 
a-SiTFT栅源电容Cgs不仅为栅源电极交叠所产生的寄生电容Cgsp,还应包括栅电极与源端沟道间的本征电容Cgsi.用缓变沟道近似模型推导了Cgsi的表达式。通过对象素电极电压跳变公式的修正,圆满解释了先前的公式所...
关键词:象素电压 跳变 本征电容 图象 
激活层厚度对a-Si TFT特性的影响(英文)被引量:3
《液晶通讯》1994年第1期30-33,共4页徐重阳 刘瑞林 邹雪城 
a Si TFT 是有源矩液晶显示器件的关键元件,为了得到最佳的特性,除了改进用于制造a Si TFT的材料外,a Si TFT的几何结构达到最佳化是非常重要的。显然,a-Si TFT激活层的厚度效应应当被考虑。在本文中,在两个方面研究了a-Si TFT激...
关键词:液晶显示器 A-SITFT 激活层 厚度 
a-Si TFT寻址LCD的动态特性
《光电子技术》1990年第2期62-68,11,共8页Miyata 邢维政 
由薄膜晶体管寻址的液晶显示器(TFT-LCD)的透射率-驱动电压(T—V)关系应给出 TFT—LCD 的“通”和“断”态的动态特性。根据静态条件下 TFT 的转换特性和 LC 的介质损耗进行数值计算所得的“通”态特性,发现与实验结果很好地符合。另一...
关键词:A-SITFT 寻址 动态特性 液晶显示器 
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