a-Si TFT寻址LCD的动态特性  

Characteristics of a-Si TFT Addressed LCDs

作　　者：Miyata 邢维政 

出　　处：《光电子技术》1990年第2期62-68,11,共8页Optoelectronic Technology

摘　　要：由薄膜晶体管寻址的液晶显示器(TFT-LCD)的透射率-驱动电压(T—V)关系应给出 TFT—LCD 的“通”和“断”态的动态特性。根据静态条件下 TFT 的转换特性和 LC 的介质损耗进行数值计算所得的“通”态特性,发现与实验结果很好地符合。另一方面,由 T—V 特性估算的漏电流与工作状态直接测量到的又有差异,前者明显地增大了。该电流的显著增大主要来源于源汇线的电场对源汇线周围的 LC 干扰,从而致使象素电极上某些部分变暗。

关 键 词：A-SITFT 寻址 动态特性 液晶显示器 

分 类 号：TN873.93[电子电信—信息与通信工程]