a-SiTFT/PIN图像传感器件  

a- Si TFT/ PIN Coupled- Pair Sensors

作　　者：赵颖[1] 熊绍珍[1] 李璟 周祯华[1] 李俊峰 

机构地区：[1]南开大学光电子所国家教育部光学信息技术科学开放研究实验室,天津300071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第1期83-90,共8页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金! ( 6 95 770 11)&&

摘　　要：在模拟计算以 a- Si TFT为有源开关 ,以 a- Si PIN为光敏源的有源成像器件工作特性与各单元元件关系的基础上 ,详细讨论了单元器件的材料、物理参数对 a- Si TFT/PIN耦合对特性的影响 ,并给出一定试验结果 .用 L ED光源照射 a- Si PIN的光电转换率可达 18.1n A/lx,a- SiThe effect of a- Si TFT and a- Si PIN diode performance on a- Si TFT/ PIN coupled pairs of active addressing image sensors array has been studied by simulation and experim ent.High switch ratio a- Si TFT and high photosensitivity of a- Si PIN diodes have been obtained.The photo- converted ratio of a- Si PIN is about 18.1n A / lx.The good linear relationship between the photo- current and the illuminated intensity has been obtained in the a- Si TFT/ PIN im age sensors.

关 键 词：有源选址 非晶硅薄膜晶体管 非晶硅光敏二极管 图像传感器 

分 类 号：TP212.1[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]