PBD空穴缓冲层对有机电致发光器件的改善作用  

作　　者：张志峰[1] 刘青益[2] 郭栋[3] 苏展[1] 

机构地区：[1]北京交通大学理学院,北京100044 [2]许昌职业技术学院规划建筑工程系,河南许昌461000 [3]北京交通大学光电子技术研究所,北京100044

出　　处：《光子技术》2005年第1期14-16,共3页Photon Technology

摘　　要：实验中制备了不同厚度的缓冲层PBD修饰的有机电致发光器件以及没有缓冲层修饰的有机器件。通过比较发现缓冲层PBD的最优厚度为0.2nm,缓冲层PBD对于器件亮度有显著的影响。当缓冲层PBD厚度为0.2nm,相同电压下器件的亮度要比无缓冲层器件的亮度要高。当电压为16V时,PBD修饰的器件的亮度为1984cd/A,而没有缓冲层材料修饰的器件的亮度为1110cd/A,器件的亮度得到了提高。在电流密度为120mA/cm2的情况下,PBD修饰的器件的效率为3cd/A,要比没有缓冲层材料修饰的器件的效率(为2.6cd/A)高。最主要的原因是由于PBD是电子传输层,因此它对于空穴的注入起阻挡作用。所以缓冲层PBD阻挡和减少了空穴的注入,提高了电子和空穴形成激子的比例,从而提高了器件的效率。

关 键 词：缓冲层 有机电致发光器件 亮度 D/A 注入 空穴 厚度 最优 修饰 电压 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学] TN383.1