背面引线的新型集成pH－ISFET传感器的研制  

作　　者：丁辛芳[1] 牛蒙年[1] 俞海明 丁耘 

机构地区：[1]东南大学微电子中心

出　　处：《仪器仪表学报》1994年第4期433-436,共4页Chinese Journal of Scientific Instrument

摘　　要：背面引线的新型集成ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的研制丁辛芳，牛蒙年，俞海明，丁耘（东南大学微电子中心）０引言ｐＨ－ＩＳＦＥＴ同传统的离子选择电极相比更具吸引力［１～５］，因为ＩＳＦＥＴ适于硅工艺大批量生产，降低了单个器件的成本及器件性能的不均匀性；用半导体...

关 键 词：pH-ISFET芯片 集成传感器 传感器 研制 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]