牛蒙年

作品数：13被引量：14H指数：2
导出分析报告
供职机构：东南大学更多>>
发文主题：传感器PH-ISFET集成传感器集成技术气体传感器更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信机械工程电气工程更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《仪器仪表学报》《应用科学学报》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
新型微流通池pH-ISFET集成传感器的研制被引量：1
《应用科学学报》1997年第1期75-81,共7页牛蒙年 丁辛芳 
报道了一种新型微流通池ｐＥ－ＩＳＦＥＴ集成传感器，该集成传感器采用常规ＩＣ工艺、微加工技术和键合技术，实现微流通池、四对长臂式ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ传感器（差分测量用）和Ｔｉ／Ａｕ膜伪参考电极芯片一体化结构，芯片面积...
关键词：传感器 微流通池 pH-ISFET传感器 流动注入分析 
pH-ISFET器件及其电路的SPICE模拟方法被引量：1
《电子科学学刊》1996年第4期443-448,共6页牛蒙年 丁辛芳 童勤义 
本文提出用SPICE软件模拟pH-ISFET器件及其电路的方法。通过SPICE内部的MOSFET参数和引入一些信号源来实现对pH-ISFET传感器及其电路的pH灵敏度关系、瞬态响应以及温度特性的模拟,所得结果与实验观测结果基本相符。
关键词：pH-ISFET传感器 电路 SPICE模拟 CAD 
Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响被引量：3
《Journal of Semiconductors》1996年第7期522-528,共7页牛蒙年 丁辛芳 童勤义 
在表面基模型理论基础上，本文研究了含两种表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体材料及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比例系数对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件敏感特性的影响．在硅醇基／胺基＝７／３附近时，得到电解液一绝缘体（Ｅ－Ｉ）界面势对ｐＨ...
关键词：氮化硅 绝缘栅 表面基模型 pH-ISFET器件 
氧化物－电解溶液界面的表面基吸附模型研究
《Journal of Semiconductors》1996年第6期458-463,共6页牛蒙年 丁辛芳 童勤义 
基于统计物理学和两层吸附模型提出氧化物－电解溶液（ＯＡＥ）界面的表面基吸附模型，推导出完全由微观物理、化学参量描述的ＯＡＥ界面电荷密度与电势的关系表达式，结果与实验数据的拟合在零电荷点附近令人满意，并对理论结果进行了...
关键词：OAE界面 表面基吸附模型 场效应器件 
背面引线压力／氢离子敏传感器的研究
《应用科学学报》1995年第3期359-362,共4页牛蒙年 林崴 袁 
报道了一种含微参比电极的差分结构，并可与其它敏感元和信号处理电路完全隔离的背面引线氢离子敏感场效应（ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）新结构。基于硅的固相键合技术和硅微机械加工技术以及常规Ｎ阱ＭＯＳ工艺，研制成集成压力／ｐＨ－ＩＳＦ...
关键词：背面引线 压力敏 传感器 氢离子敏 
离子敏场效应晶体管被引量：4
《传感器技术》1995年第4期1-6,共6页丁辛芳 牛蒙年 
近年来对基于ＭＯＳ技术制造的离子散场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的特性研究做了大量的工作。综述了ＩＳＦＥＴ器件（尤其是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）在敏感机理、集成化、封装和应用等方面的研究状况与新进展。
关键词：ISFET器件 敏感机理 离子敏 场效应晶体管 
离子敏感场效应器件研究的进展
《仪器仪表学报》1995年第3期322-325,共4页牛蒙年 丁辛芳 童勤义 
离子敏感场效应器件研究的进展牛蒙年（中国科学院上海冶金所）丁辛芳，童勤义（东南大学）０引言离子敏感场效应器件自问世至今已有二十多年，目前已能成功地对二十多种离子进行传感，而且形成多种对生物信号敏感的场效应结构传感器，...
关键词：离子敏感材料 场效应器件 制造 发展 
场效应型氢离子敏传感器测量方法的实验研究被引量：1
《电子测量与仪器学报》1995年第2期32-37,共6页丁辛芳 牛蒙年 
基于场效应型红离子敏传感器（H+－ISFET）参数及电流-电压特性，归结出四种H+－ISFET传感器的四种测量工作模式，从应用角度讨论了它们的适用条件以及实现差动输出测量的简单方法。实验结果表明，由H+－ISFET／REFET对管构成的差动输...
关键词：氢离子敏传感器 测量模式 差动输出 共模抑制 
pH－ISFET传感器及其测量方法研究
《固体电子学研究与进展》1995年第1期50-54,共5页牛蒙年 袁璟 林崴 
在对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器参数及其输出特性分析的基础上，讨论了四种测量ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的模式和适用条件，以及实现差分测量的简单方法。在ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ差分对结构测量中，以金膜作为辅助电极取代传统的甘汞参考...
关键词：PH-ISFET 传感器 测量方法 差分电路 ISFET/REFE 
差分对结构pH－ISFET传感器的研制被引量：1
《传感器技术》1995年第1期25-27,共3页牛蒙年 丁辛芳 袁璟 童勤义 
报道了采用集成技术制备的差分对结构ｐＨ－ＩＳＦＴＥＴ传感器及其特性，实验结果表明，ＩＳＦＥＴ器件性能良好，经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性，且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素。采用金膜辅助电极替代甘汞参...
关键词：H^+离子传感器 传感器 ISFET 差分放大 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部